“他们的研发思路是没有错，只要稍微修正一下设计，这样可以把制备流程缩短30%，生产本钱会大幅降落，以后良品率也会很轻易上往🃧。”
“杨少你真是天才，一眼🛒🛳☺就看出了这里面的问题，连如何📩修正都想好了，有你这样的天才，我想国外那些闪存大厂要掉眼泪了。”
杨杰哈哈笑一笑，老天爷好不轻易让自己重生一回，自己手头上有大🖦批的技巧专利，不拿出利用那简直太暴殄天物了！
“我都猜忌杨少🐱你上辈子是不是搞ic的？这🎄🎢辈子是🚮带着记忆投胎？为什么有着如此多的想法？”
“谭总你可是还科学家呢！怎🈮🁩🈛么🚩🖁还信任这一套！”
谭云松笑了起来：“没措施，国内在半导体⚺产业上有着如此快速的提升，这就是一个奇迹呀！根本没措施用科学来解释。”
“这不是谭总最盼看看到的成果🚩🖁么。”杨杰笑着道。
越日，杨杰也是涌现在⚝💖👳了新蓝科技公司的研发中心，会议室里面坐满了公司研发部分的技巧工程师，中间还有二十多名的美国的工程师。
他指着投影屏幕上自制的ppt说道：“大家看啊，这个多晶硅栅下面是三层尽缘薄🅥🈫🁍膜，这三层薄膜分辨是隧穿氧化层、氮化硅、屏障氧化层，其中氮化硅具有极🅦高的电子陷阱密度，可以捕捉电子，达到存储电荷的目标，带电就是1，不带电就是0。”
杨杰持续说道：“🁳氮化硅之前只是用在对底层金属实现笼罩，由于🐸🄧针孔很少，对水汽和钠在氮化硅材料中扩散非常慢，这次我们将氮📺化硅注进沟道边沿。”
他看到众人都是露出了困惑的表情，笑着解释道：“我们都知道半导🖦体中有两种载流子，一种是电子，一种是空穴，在对单元进行写进操作时，采用热电子注进法🅦，将热电子注进沟道边沿的氮化硅，这样就完成了写进过程，在作擦除时，利用价带间的空穴，将空穴注进沟道边沿的氮化硅，打消电荷，就完成了擦除。
“由于氮化硅的尽缘性，热电子效应产生的电子只能被注进并限制在沟道🞏📉🙂边沿。正是这样，两侧沟道一旦部带电就是11，部不带电就是00，但是我们一旦把两侧沟道其中一侧进行单独擦除，就会涌现四种情况，一种是01，一种是10，于是我们就在不进行复杂工艺转变的条件下，让现🉇🅏🅦有的闪存容量增长了一倍。”
“在这个基础上，我们可以今后发展出多电压把持栅极多层注进电荷技巧产品，实现多层的堆叠，可以用🄡⚰这种技巧在现有的制程工艺上最大限度地增长闪存的容量，而不是完整依附制程工艺的提升，这也大大地降低了闪存的本钱。”
听到这里，会议室里一片哗然，众人都是无比惊喜，韩😢🃇小龙此时激动地📮🞌💬鼓掌，随后大家都是🄓☮随着用力地鼓起掌来。
“杨少你太神了！我们⚝💖👳得赶紧实验！赶紧写论文申请专利！”韩小龙激动地说道。
“杨先生，你的假想太完善了🈮🁩🈛！🚩🖁我感到可行！真的可行！这个门路怎么以前就没人想到呢！你真是天才！”
此时好几个美国🐱工程师都是激动地站起来嚷嚷🎄🎢。
“杨少，我有个问题，这种技巧路线的确让一个存储单位可以承载四个信息，比以前翻了一倍，可接下来怎么读取呢？”一个工👴🍆程师举起手问道。
“这四种情况的电压是不同的🈮🁩🈛呀，我们只要设计出一套解码电路，用🖦于读取并解析数据就行，具体的解码电路还需要你们往设定。”杨杰笑着道。
“杨少，我们马上对解码电路进行设计，我差未几有了想📩法，我保证下一周把芯片设计拿出来，😽🔯随后就能进行制程工艺流程的设计，最晚月底，我们就可以进行第一次🁁🂹工程流片！”